华虹宏力荣获多项行业大奖-am8亚美

　　3月23日至24日，“2017中国半导体市场年会暨第六届中国集成电路产业创新大会”（ic market china 2017）在南京召开。基于2016年的亮眼表现，上海华虹宏力半导体制造有限公司（“华虹宏力”）成功斩获“2016年中国半导体制造十大企业”及“2016-2017中国功率器件市场年度成功企业”两项大奖，并凭借其“600v-1200v场截止型igbt芯片制造工艺技术”摘得“第十一届（2016年度）中国半导体创新产品和技术”奖。

　　华虹宏力作为全球首家提供场截止型（fs， field stop）igbt量产技术的8英寸晶圆制造厂，其600v-1200v fs igbt工艺制造平台提供深沟槽刻蚀、钝化、超薄片加工（包括背面注入、激光退火、背面金属化）等国际领先技术，可为客户提供高品质、高可靠性的igbt芯片制造服务。igbt作为功率器件的主流发展方向，已在变频家电、工业控制、汽车电子、新能源、智能电网等诸多领域获得广泛应用，未来市场更将飞速成长。此前，我国在igbt这类高端功率半导体器件领域的设计、制造能力相对落后。但华虹宏力与客户携手成功开发了基于沟槽栅结构的600v-1200v场截止型igbt，打破了国外公司的技术垄断，填补了国内空白。截至目前，华虹宏力独特且具竞争力的场截止型igbt累计出货量已超过30000片晶圆，并保持快速增长趋势。