华虹宏力、上海华力荣获两项“2017cite创新产品和应用金奖”-am8亚美

　　2017年4月9日-11日，第五届中国电子信息博览会（cite2017）在深圳会展中心如期举行。上海华虹宏力半导体制造有限公司（“华虹宏力”）、上海华力微电子有限公司（“上海华力”）携公司最新技术和产品登场中国高端芯片联盟展区，集中展示了作为中国半导体产业主力军的风采，并凭借优势制造工艺荣获两项“2017cite创新产品和应用金奖”。其中，华虹宏力获奖工艺为“600v-1200v场截止型igbt芯片制造工艺技术”，上海华力获奖工艺为“55纳米超低功耗工艺平台”（“55nm ulp”）。

　　华虹宏力此次获奖的“600v-1200v场截止型igbt芯片制造工艺技术”可提供深沟槽刻蚀、钝化、超薄片加工（包括背面注入、激光退火、背面金属化）等国际领先技术。上个月，该项目刚摘得“第十一届（2016 年度）中国半导体创新产品和技术”奖。

　　上海华力参加评选的55nm ulp工艺平台相较传统的55nm lp，其核心工作电压降低约30%，工作功耗降低约20%，通过提供ehvt和elvt核心器件满足联网应用需求；支持核心工作电压最低调降至0.9v。该工艺技术已成功量产，未来将结合射频工艺以及嵌入式闪存工艺，提供客户完整的可穿戴式芯片方案。