华虹宏力深耕fs igbt 聚焦新能源汽车应用市场-am8亚美

　　作为全球首家提供场截止型绝缘栅双极型晶体管（fs igbt）量产技术的8寸集成电路芯片制造厂，上海华虹宏力半导体制造有限公司（以下简称“华虹宏力”）将充分利用在igbt技术方面的优势，积极开拓新能源汽车市场，加速新能源汽车芯片国产化进程。

　　华虹宏力自2011年起就已成功量产了1200v非穿通型（npt， non-punch-through）igbt；2013年，600v-1200v fs igbt实现量产，并专注于持续开发更先进的fs igbt。凭藉不断的研发创新，公司与多家合作单位陆续推出了600v、1200v、1700v等igbt器件工艺，成功解决了igbt的关键工艺问题，包括硅片翘曲及背面工艺能力等。目前华虹宏力是国内唯一拥有igbt全套背面加工工艺的晶圆代工企业，包括背面薄片、背面离子注入、背面激光退火，背面金属。同时公司正在加速研发6500v超高压igbt技术，战略目标锁定在高端工业及能源市场应用。

　　igbt是新一代电能变换和控制的核心器件，具有输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快、工作频率高等优点，广泛应用于新能源汽车、工业变频、智能电网、风力发电和太阳能等行业。自商业化应用以来，igbt作为新型功率半导体器件的主型器件，在1~100khz的频率应用范围内占据重要地位，其电压范围为400v~6500v，电流范围为1a~3600a。

　　《2016年国务院政府工作报告》明确提出，“大力发展和推广以电动汽车为主的新能源汽车，加快建设城市停车场和充电设施”。我国“十三五”规划也明确了实施新能源汽车推广计划，鼓励城市公交和出租汽车使用新能源汽车。纯电动车的核心模块离不开igbt，尤其是性能更佳的fs igbt，充电桩的建设也运用了大量的功率器件模块，igbt未来主要的成长驱动力将来自混合动力汽车和纯电动汽车。作为电动车动力的核心，马达逆变器将驱动igbt模块飞速发展。华虹宏力在汽车电子方面有着丰富的经验，建立了零缺陷管理模式，并通过了iso/ts16949认证和多家客户的vda 6.3（德国汽车质量流程审计标准）标准审计，公司客户的mosfet和sjnfet（超级结mosfet）产品也都成功应用到汽车电子领域。华虹宏力拥有出色的fs igbt全套背面加工能力，在晶圆代工领域具有绝对优势，为布局新能源汽车市场做好了充分准备。