华虹宏力、研发中心荣获2013年国家科技进步奖-am8亚美

　　1月10日，2013年度国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重举行。上海华虹宏力半导体制造有限公司（以下简称“华虹宏力”）和上海集成电路研发中心（以下简称“研发中心”）共同完成的“高性能嵌入式非易失性存储器片载芯片制造关键技术”荣获2013年国家科技进步二等奖。受表彰的主要完成人为：徐伟、陈寿面、桑浚之、肖胜安、陈广龙、姚翔、钱文生、徐向明、陈菊英、李铭。

　　该项目成功研发了嵌入式浮栅型和电荷捕获型sonos结构及0.18微米至0.13微米/90纳米的嵌入式非易失性存储器芯片工艺技术、内核模块和芯片测试、检测技术，打破了国外芯片制造巨头的垄断，实现了国内该领域集成电路尤其是智能卡芯片的应用和国产化，拥有70%国内市场占有率，25%国际市场占有率，保持了国际先进、国内第一的地位。

　　荣获国家科技进步二等奖的另一个集成电路领域项目“超大规模集成电路65-40纳米成套产品工艺研发与产业化”，上海集成电路研发中心是该项目排名第二的主要完成单位，研发中心在此项目中受表彰的主要完成人为：赵宇航、陈寿面。