近日，2012年度中国电子学会电子信息科学技术奖评审结果揭晓。上海华虹nec电子有限公司荣获一等奖2项、三等奖1项。其中，《30v-100v屏蔽栅-深沟槽mos工艺开发》荣获电子信息科学技术奖一等奖，《0.13微米sonos工艺技术创新性的深度开发》荣获三等奖。此外，华虹nec和清华大学、大唐微电子联合申报的《基于闪存的智能卡集成电路设计及工艺技术》也荣获一等奖。
此次荣获一等奖的《30v-100v屏蔽栅-深沟槽mos工艺开发》项目着眼于当前电子产品对电源管理类器件高速度低功耗的要求，在器件结构上引入屏蔽栅，可以大幅降低阻碍器件高速工作的栅、源、漏之间的寄生电容；同时，通过优化器件单胞布局减少了漂移区电阻。此技术能大幅降低功率损耗，例如在典型的100v应用中，新技术可以将传统产品的功率损耗降低一半，给整机设计工程师们提供了广阔的节能空间。除此之外，华虹nec的开发团队在传统工艺上也实现了多项突破和创新，包括新一代的深沟槽干法刻蚀工艺、多晶硅栅的填充刻蚀工艺以及高可靠性低电容的栅氧化工艺等，这些全部代表了目前主流深沟槽工艺的最前沿。该项目的实施，使国内功率器件的生产制造水平与国际零距离接轨，为国内相关设计公司的最新设计理念提供了实现平台，推动了国内电源管理领域的产品升级。
“电子信息科学技术奖”是由中国电子学会每年在全国范围内展开评选活动，经历半年的初审、初评、终评等程序遴选出年度获奖项目，属于电子信息科学领域的省部级奖项。本届共评出65个奖项，其中一等奖10项，二等奖21项，三等奖34项。
