1月23日，上海华虹nec电子有限公司宣布其最新研发成功0.13/0.18微米sige工艺技术进入量产，成为国内首家、全球少数几家可以提供0.13/0.18微米sige量产工艺的代工厂之一。
基于多年0.18/0.25微米rf-cmos工艺成功的量产经验，结合自身在sige技术上的积累与客户对无线射频前端专用工艺的迫切需求，华虹nec开发了具有国际先进水平的0.13/0.18微米sige工艺平台。该新型sige工艺平台包括0.13um sige bipolar及0.18um sige bicmos两套工艺，其中0.18um sige bicmos根据cmos工作电压的不同，可分为1.8/3.3v和纯5v两种。这几套工艺是华虹nec针对射频前端、高速通讯等新兴应用而开发的，具有低噪声、高速度、高耐压、多样工艺选项等优点，适合于手机通讯，无线路由，导航及光通讯等领域，极大地方便了客户选择，为客户提供更多的价值。
