宏力半导体工艺开发项目荣获2011年度浦东新区科技进步一等奖-am8亚美

　　日前，浦东新区科技创新大会暨第二届科技奖励大会隆重召开，上海宏力半导体制造有限公司（以下简称“宏力半导体”）承担的“0.18微米嵌入式自对准分栅闪存技术与工艺开发”项目荣获2011年度浦东新区科技进步奖一等奖。

　　0.18微米嵌入式自对准分栅闪存技术由宏力半导体自主研发，该技术具有很高的耐擦写能力和数据保持特性，可重复擦写10万次，数据保持100年，达到国际汽车电子aec-q100标准，在此工艺平台上已设计出用于汽车发动机控制的32位高端高可靠mcu。搭载该技术的产品已大量投放北美、欧洲和国内市场，国内主要应用于各种智能卡和智能电表，如2010年上海世博会手机支付和2011年手机深圳通产品。

　　该项目在研发期间，累计获得7件授权专利，其中1件为美国专利，在国内外发表论文3篇，被sci、ei收录3次，并与中国科学院上海微系统与信息技术研究所合作培养了2名博士研究生。