宏力半导体宣布成功建立国内首个0.18微米超低漏电嵌入式闪存工艺平台-am8亚美

　　上海宏力半导体制造有限公司（以下简称“宏力半导体”），专注于差异化技术的半导体制造领先企业，宣布成功建立国内首个0.18微米“超低漏电” （ultra-low-leakage，ull）嵌入式闪存工艺平台。

　　0.18微米“超低漏电”嵌入式闪存工艺平台由宏力半导体自主开发完成。此次推出的“超低漏电”工艺平台在宏力半导体现有的0.18微米“低功耗”（low-power，lp）工艺平台上实现了进一步技术提升，其n/p晶体管在1.8伏操作电压下可分别输出与“低功耗”工艺等同的525/205μa/μm驱动电流，但其n/p管静态漏电分别仅为0.6pa/μm和0.2 pa/μm，达到业界领先水平。

　　0.18微米“超低漏电”嵌入式闪存工艺平台生产的芯片具有超低漏电（小于1pa/μm）、静态功耗低的特点，在电池容量有限的情况下能够提供更长的待机时间。基于该平台生产的低功耗微控制器（mcu）、触摸屏控制芯片（touch panel controller）主要适用于平板电脑、数码相机和手机等手持式便携设备。

　　“0.18微米‘超低漏电’嵌入式闪存工艺平台可为客户提供高可靠性、低成本的am8亚美ag旗舰的解决方案，进而大幅提升客户产品的市场竞争力。”企业发展暨战略单位副总经理傅城博士表示，“目前，已有多家客户在该平台试产，各项指标均达到或超过客户要求。”