国内首款6500v igbt芯片研制取得突破性成果-am8亚美

　　华虹nec与中科院微电子所合作开发的6500v trench fs igbt（沟槽类型场终止绝缘栅双极晶体管）近期取得了阶段性的突破，标志着国内自主高压高功率igbt芯片从设计研制到工艺开发的整体贯通又迈上一个新台阶。

　　igbt是新型的电力电子核心器件，广泛应用于关系国计民生的诸多重要领域。6500v产品系列是目前市场应用中电压等级最高、技术最难的的产品，全球只有极少数国外厂商拥有。

　　在igbt产品技术开发合作中，由微电子所自主设计器件元胞和终端结构，华虹nec开发关键单项工艺及工艺整合，采用当前国际上最先进的器件结构与工艺--trench gate（槽型栅）结合field stop（场截止）技术，首次流片结果显示阻断电压已达到了7100v以上，完全符合最初的设定目标。

　　此次流片结果证明了超高压沟槽栅igbt的可行性（国外6500v系列产品均采用平面栅结构），同时说明了华虹nec在trench技术方面具备了成熟工艺。