华虹nec 1200v trench npt igbt工艺平台成功进入量产-am8亚美

　　华虹nec 5月4日宣布，公司与其技术am8亚美的合作伙伴密切合作开发的1200v trench npt igbt（沟槽类型非穿通绝缘栅双极晶体管）工艺平台成功进入量产，成为国内第一家提供此类工艺代工的8英寸厂家。

　　华虹nec利用多年0.13um以上cmos和功率mosfet的经验，特别是其领先的trench技术，在沟槽的形貌、光滑度和填充等工艺性能稳定，可靠性高，可以很好地满足高端电力电子器件需求的优势，于2009年启动了igbt技术研究和开发。目前已有多家客户基于华虹nec 1200v trench npt igbt工艺平台开发产品，具有耐压高、漏电小、通态压降低、米勒电容小、可靠性高等显著优点，多项技术指标已达到业界先进水平。该技术的产品非常适用于新能源汽车、家用电器、轨道交通、智能电网、太阳能逆变器等应用领域。