胡少坚同志，2002年从上海微系统所毕业后加入上海集成电路研发中心。在近十年的工作中踏实肯干、勇于创新，且屡有突出表现。
2003年3月至2004年3月被派驻比利时微电子研究中心（imec）联合开发0.18微米以及0.13微米cmos集成电路制造工艺。完成器件的工艺调整和优化，并对最终器件开发整套模型库，保证整个工艺的顺利开发和技术转移。回国后进入华虹nec电子有限公司，从事高压cmos集成电路工艺器件与模型开发工作。成功优化了novatek lcd项目的常压和高压器件，确保了其相关产品的良率；成功开发了各种高压cmos模型，并建立提取及优化方法。2006年7月至2007年1月，被再次派往imec，合作开发90纳米以及65纳米射频mos器件的先进模型。建立并完善了先进的psp模型开发工具，同时针对65nm rf cmos器件开发出先进的psp模型，满足了各种射频设计的使用需求。
2008年起胡少坚同志开始带领一个十人团队负责公司的pdk、模型、可靠性、版图、测试、器件等技术方面的工作。面对人少项目多以及管理较为松散的局面，他积极组织开展内部培训，并在实际工作中积累经验，通过系统地完善操作流程和作业指导书，大大提高了模型、可靠性和测试的效率和准确性。对多数常规工作，通过编程控制测试仪器自动测试和数据处理大大提高了效率，同时扩展了设备能力。通过将多个可靠性测试和数据处理集成在自己编的"可视化"操作软件里，使得可靠性评估更简单高效。由于这些卓有成效的创新工作，胡少坚同志带领的设计服务团队不但圆满的完成了公司各项目的am8亚美ag旗舰的技术支持工作，而且还获得了集团2008年度"创新争效劳动竞赛活动先进集体"的荣誉称号。
2009年胡少坚同志作为课题组长成功申请了国家重大专项核高基项目《嵌入式多模、多频收发器关键ip硬核研究》，成为年轻的国家重大项目带头人。项目开展之初，在器件工艺不成熟的困难条件下，他带领团队与宏力合作共同开发了hv sige hbt功率器件，确保了sige ip的顺利开发；在0.13 cmos rf 模型与pdk不完善的情况下，与华虹宏力密切合作，按时完成0.13 rf cmos的ip开发及一次流片。
同时，胡少坚同志还承担着多项重大专项任务的模型开发工作，带领模型组取得了一系列的成果。1）在smic65－45工艺配套开发过程中，帮助开发了全套psp模型，建立并完善了psp模型的完整开发流程及方法，精度达到甚至超过了bsim4模型精度。2）在smic 40cpu工艺的开发中，积极开发并完成bsim4模型及sram模型等，即时满足设计方的紧迫需求。3）积极带领模型组工程师通过其一系列培训和考核后承接了多个tsmc模型服务任务，按客户对模型的高精度要求完成模型开发任务，并通过了tsmc严格的模型验证流程。
