在国务院2014年1月6日颁布的2013年国家科学技术进步奖励名单中，全国共有两个集成电路领域项目获得了奖励表彰。由上海华虹宏力半导体制造有限公司和上海集成电路研发中心完成的"高性能嵌入式非易失性存储器片载芯片制造关键技术"荣获二等奖。受表彰的主要完成人为：徐伟、陈寿面、桑浚之、肖胜安、陈广龙、姚翔、钱文生、徐向明、陈菊英、李铭。同时，上海集成电路研发中心作为排名第二的主要完成单位的"超大规模集成电路65-40纳米成套产品工艺研发与产业化"项目也获得了二等奖，研发中心在此项目中受表彰的主要完成人为：赵宇航、陈寿面。
这是华虹集团成立以来在集成电路制造领域首次获得国家科技进步奖，充分体现了我集团员工发扬"知难而进，奋发图强"的企业精神，通过研发、生产、市场部门的密切协作获得科技和市场双丰收，在为企业创造经济效益的同时，获得了良好的社会效益。
集团号召全体员工向获得本次国家科技进步奖的团队和成员学习，按照既定的企业发展战略不断加强科技创新的力度，进一步从科技创新中要效益，为企业争取更好的业绩和更多的荣誉。
