一直走在学习的路上
华虹nec先进工艺部a科作为公司薄膜工艺研发的排头兵，攻克了一个又一个技术上的难关。这是个平均年龄仅有32岁的9人班组，由3名本科生和6名硕士生组成。孜孜不倦的钻研和对知识的渴求，是他们成功的制胜法宝！
敢当"吃螃蟹第一人"
超级结半导体是一种新型半导体器件。公司为了今后发展，决定上马超级结工艺项目开发。先进工艺部a科作为项目"带头大哥"，面临着前所未有的挑战，因为深沟槽外延填充是超级结项目的关键工艺之一，该工艺不仅在华虹nec没有任何经验，在世界范围内也尚属开发阶段，少数几个接近成功的公司均将其列为高度机密。为了早日自主开发成功，整个团队积极收集一切相关信息与技术，认真钻研，举一反三，结合本公司实际情况，制定切实可行的实验方案。经过一年多的坚持不懈的努力，终于开发出可以满足器件要求的工艺，部分重要参数优于竞争对手。另外，本着持续改善的追求，该团队的工程师刘继全对外延工艺进行优化，分两个阶段将产能分别提高了50%和100%以上。新型超级结外延工艺的成功研发，也带来了单晶硅化学机械研磨工艺难题，对于研磨量约几微米图形片化学机械研磨工艺可谓前所未有，工程师程晓华、钱志刚"摸着石头过河"，日夜钻研，做了大量的实验，突破了业界常用的工艺耗材种类，建立了一套稳定的工艺平台，并在很大程度上减小了研磨时间，解决了长时间研磨带来的诸多工艺问题。
我敢，所以我能
igbt功率器件广泛应用于家电、电力输送、轨道交通等领域，随着中国经济的腾飞，对igbt器件的需求日益旺盛，但目前igbt技术主要掌握在国外巨头手中。中国每年都需要花巨额费用进口关键芯片，igbt国产化势在必行。公司管理层高瞻远瞩，决定开发igbt特色工艺。在igbt项目开发中碰到最棘手的问题是硅片翘曲问题，此题不解连正常流片都难以实现，更不要说技术开发了。先进工艺部a 科作为igbt关键工艺开发直接责任科室，积极组织以工程师李琳松为首的高执行团队，研讨分析可能的疑难点，先后组织安排11种方案来解决此技术难题，最终在较短时间内研发出有效而低成本的am8亚美ag旗舰的解决方案，拓展igbt trench loop曲率半径有13米到45米，完全克服igbt硅片流片问题，保证后续开发的持续高效进行。
igbt器件特性需求特殊trench形貌，其中沟槽倒圆（corner rounding）工艺是更是他（她）们从未涉足过的技术，先进工艺部a 科通过组织科室骨干学习专利文章，组织安排实验，最终研发成功两种corner rounding技术，达到可与国外巨头相媲美的水平。最终在较短的时间内，薄膜科克服了工艺研发中的遇到的各种困难，研发出质量可靠，工艺稳定的hhnec igbt特色工艺，目前已有首家客户流片，为hhnec研发igbt工艺平台奠定了坚实的基础。
学无止境
探索永无止境，硅通孔工艺作为一种新兴的集成电路制作工艺引起了公司的极大兴趣。先进工艺a科班组结合现有工艺平台， 尝试与ic 工艺相兼容的via-first的硅通孔（through si via， tsv）工艺的开发。团队工程师许升高、程晓华等借鉴国外先进技术，开发了适合本公司作业的硅通孔工艺。目前硅通孔深度可以达到100um，实现30：1 高宽比的深槽钨金属无缝填充。完成了硅通孔与栓孔工艺相集成的结构片评估，实现了与hhnec现有工艺平台的兼容，将来可为客户提供低成本的硅通孔工艺集成方案。
先进工艺部a科班组不仅组内成员多次获得个人荣誉，而且团队也多次得到表彰，近期该团队获得了公司劳动竞赛集体一等奖，上海市特色班组等殊荣。荣誉和辉煌都已成为过去，未来的精彩在前方等待着他们去发现和开拓。先进工艺部a科班组全体人员，将继续在知识的海洋里畅游，贪婪的汲取点点滴滴营养，时刻准备着迎接新的挑战。
